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主要技術(shù)參數(shù) 作者：瑞田達 文章來源：本站原創(chuàng) 點擊數(shù)： 更新時間：2014-1-3 10:36:11
IGBT為逆變器最核心、價格最高的零部件之一，由于核心技術(shù)在國外，IGBT技術(shù)及產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代，但是在國內(nèi)還不具備大批量的生產(chǎn)IGBT的能力。新型IGBT逆變技術(shù)是推動我國低碳經(jīng)濟發(fā)展戰(zhàn)略的突破口，同時緩解能源，資源和環(huán)境等方面的壓力
IGBT的主要特點有兩個：驅(qū)動功率小而飽和壓降低，它的三個極分別是：源極(S)、漏極(D)和柵極(G)
IGBT結(jié)構(gòu)圖 N+ 區(qū)稱為源區(qū)，P+ 區(qū)稱為漏區(qū)，IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 大致上是一樣的。用于商業(yè)上IGBT器件的電壓和電流容量還遠遠沒有達到電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展需求，特別是在高壓領(lǐng)域，現(xiàn)在包括英飛凌在內(nèi)多家公司已經(jīng)開始生產(chǎn)研發(fā)大功率的IGBT。東芝晶體管系列產(chǎn)品種類豐富.為您提供各種IGBT產(chǎn)品!
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